“余总，对于我们的两台设备，你还有什么意见，或者想了解的？”一旁的ASML工作人员问道。
“没什么了……回吧。”
余子贤没什么看的了，主要确认设备的存在和完好性，再一个就是对应设备技术特性，而余子贤看重的主要两点:1.5微米的制程、步进式。
在余子贤心里，这两台光刻机已经是香积电的了。其他的事情，就交给谈判桌上搞定，然后尽可能涩争取尽可能的利益。
当余子贤参观完成苔积电库房的光刻机，向ASML确认了购买意向之后，与ASML的谈判重心就从欧洲芬兰转移到了湾岛新竹。
说到苔积电于ASML合作以及壮大的原因还要数浸入式光刻。
那么什么是浸入式光刻了？
自从摩尔定律被提出，人类的想象力就得到了无限发挥的空间。每一次尺寸缩小就意味着制程上的革新，一幕幕工艺上的改朝换代就这样不断上演，浸入式光刻也就此走上了历史舞台。
浸入式光刻的原型实验在上世纪90年代开始陆续出现。1999年，IBM的Hoffnagle使用257nm干涉系统制作出周期为89nm的密集图形。当时使用的浸入液是环辛烷。但因为当时对浸入液的充入、镜头的沾污、光刻胶的稳定性和气泡的伤害等关键问题缺乏了解，人们并未对浸入式光刻展开深入的研究。
2002年以前，业界普遍认为193nm光刻无法延伸到65nm技术节点，而157nm将成为主流技术。然而，157nm光刻技术遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。这是由于绝大多数材料会强烈地吸收157nm的光波，只有CaF2勉强可以使用。但研磨得到的CaF2镜头缺陷率和像差很难控制，并且价格相当昂贵。雪上加霜的是它的使用寿命也极短，频繁更换镜头让芯片制造业无法容忍。
正当众多研究者在157nm浸入式光刻面前踌躇不前时，时任TSMC资深处长的林本坚提出了193nm浸入式光刻的概念。在157nm波长下水是不透明的液体，但是对于193nm的波长则是几乎完全透明的。并且水在193nm的折射率高达1.44，而可见光只有1.33！如果把水这样一种相当理想的浸入液，配合已经十分成熟的193nm光刻设备，那么设备厂商只需做较小的改进，重点解决与水浸入有关的问题，193nm水浸式光刻机就近在咫尺了。同时，193nm光波在水中的等效波长缩短为134nm，足可超
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