“……”
其实许多人，包括苗为不明白方年为什么会如此极力坚持EUV。
毕竟理论上DUV可以支持到7纳米光刻。
现在全世界最先进制程的是英特尔，才搞定22纳米。
距离7纳米看起来是很遥远的。
而且到这一步，为了防止原子漏跑等，简称漏电，现在国际先进制程已经在考虑FinFET工艺。
这就开始出现方年所说的技术瓶颈。
按照国际半导体技术蓝图定义技术节点是最小金属间距(MMP)的一半来算，MMP减少开始变缓；
偏偏3D化后，晶体管数量依旧激增，这样就显示不出工艺进步了。
于是……
下一代工艺命名就按照了早期二维晶体管形式的长宽各缩短0.7，则面积缩小一半(0.7×0.7＝0.5)这样的一个形式来简化计算。
什么叫简化计算……
即，20×0.7＝14。
再然后是14→10→7→5→3。
那么实际上MMP减少了多少呢？
以台积电为例，从10纳米到7纳米，MMP从44纳米降到了40纳米。
只有坚守摩尔定律的英特尔死活在14nm+、++、+++上停滞不前。
英特尔甚至想说一句：不标准的命名规则都特么是耍流氓。
这也是从终端用户角度上，更先进制程的突破，体验感并未成倍数突破的原因。
甚至可以说，英特尔的14nm+++≈广泛意义上的7nm。
因为两者每平方毫米晶体管数量基本相等。
综上……
方年之所以毫不犹豫all in EUV。
是因为这特么眨巴眼的功夫，就必须要用到EUV了。
在方年重生之前，别说瓦森纳、禁运这些，就唯一可以生产EUV的ASML手头上握着起码能排到五年后的订单。
原因十分简单：产不出来。
方年既然有理想有抱负，怎么可能在这里不来一手准备？
现在开始all in EUV，起码五年十年后，梼杌是能搞出来点东西的。
EUV(极紫外)的光源波长直接就从193纳米跳到了10~14纳米之间的，目前研究资料表明，13.5nm波长是可用性最高的。
这样一来，在尖端光刻领域
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